简介晶圆凸起封装工艺技术

晶圆级封装是一项公认成熟的工艺，元器件供应商正寻求在更多应用中使用WLP，而支持WLP的技术也正快速走向成熟。随着元件供应商正积极转向WLP应用，其使用范围也在不断扩大。

　　目前有5种成熟的工艺技术可用于晶圆凸起，每种技术有各自的优缺点。其中金线柱焊接凸点和电解或化学镀金焊接凸点主要用于引脚数较少的封装应用领域包括玻璃覆晶封装、软膜覆晶封装和RF模块。由于这类技术材料成本高、工序时间长，因此不适合I/O引脚多的封装件。另一种技术是先置放焊球，再对预成形的焊球进行回流焊处理，这种技术适用于引脚数多达300的封装件。目前用得最多的两种晶圆凸起工艺是电解或化学电镀焊料，以及使用高精度压印平台的印刷焊膏。

　　印刷焊膏的优点之一是设备投资少，这使很多晶圆凸起加工制造商都能进入该市场，为半导体厂商服务。随着WLP逐渐为商业市场所接受，全新晶圆凸起专业加工服务需求持续迅速增长。

　　实用工艺开发

　　很多新兴应用所需焊凸数量较少，这类应用的关键要求是焊凸必须具有较大的横截面，以降低无裸片封装的电阻，因为器件的导通电阻Ron主要来自这种DFPR，它最终会影响终端产品的效率和电池寿命。

　　最近，欧洲发起了一项开发焊球粘植技术的计划，能使WLP应用于直立式功率MOSFET，较之于标准的TO封装能减小30%的封装占位面积和90%的DFPR。该计划由欧盟提供资助，目标是开发出局域网络环境中无线便携式设备应用的下一代WLP封装器件，包括实现高度小型化短程无线联网基带设备所需的SoC和功率放大器。

　　WLP技术已成功用于横置式器件，但直立式结构占位较小，较适合于移动应用。实现直立式WLP功率器件的困难在于，生成焊凸前，需要将背面的连接触点重新走线，引到晶圆的正面才能完成WLP封装。重新走线需通过经电镀和填充微小导通孔来实现，这就要求很薄的晶圆，以达致合适的纵横比。如果导通孔直径为300μm，就得采用厚度150μm的晶圆以维持2：1的纵横比。

　　为了完成MOSFET功率放大器所需WLP封装工艺的开发，蓝鲸计划联盟的成员DEK和柏林工业大学开发出一种焊球粘植工艺，可在直径为6英寸的晶圆上以500μm的间距粘植直径为300μm±10μm的焊球。

　　首先采用680μm厚的晶圆对工艺进行初步验证，之后才在更薄的150μm晶圆上成功实现焊球粘植。

　　焊球粘植工艺需要两台排成直线的印刷机。第一台在晶圆焊盘上涂敷助焊剂；第二台负责置放焊球并完成回流焊处理前的所有工序。

　　第一台机器装载晶圆，利用视像识别系统校准位置，然后将助焊剂压印在焊凸下金属焊盘处。晶圆之后输送到第二台机器，把压印了助焊剂的晶圆装载到机器上，并对准位置使其紧贴钢板。焊球置放头然后移到钢板上面，同时分离焊球使其形成单层，再稍加正向力量将焊球推入开孔。

　　焊球置放可进行多次，以确保所有开孔都被填充。蓝鲸计划已确定在每秒10mm的移动速度下进行两次置放操作达致99.9%以上的焊球置放良率。经过植球后的晶圆将在机器的控制下按预设的速度往后移，脱离钢板，并传送到回流炉中。

　　在蓝鲸计划中，助焊剂采用丝网来涂敷，因此涂敷层可以很薄，每次工艺周期之间还使用了丝网助焊剂清洗技术。在焊球置放阶段需要采用由两层组成的“混合型”钢板，以形成间隔，防止开孔被前一次印刷留下的助焊剂污染。

　　专为蓝鲸计划而开发的工艺采用了50μm厚、穿孔直径为200μm的丝网进行助焊剂印刷，外加总厚度为300μm的混合型钢板用于焊球置放。

　　除了能够涂敷大体积焊锡外，焊球粘植工艺的另一个优点是所涂敷焊球的体积不会在回流处理后缩减，这样可重复性便会更高，使到最终完成封装件的焊凸高度更加均匀。

　　工艺边界渐趋模糊

　　蓝鲸计划证明了焊球粘植是实用性强、良率高的WLP焊凸工艺技术。随着这类封装盛行，焊球粘植工艺将会获越来越多的厂家所采纳。对于已经配备焊膏印刷功能的晶圆焊凸加工厂来说，采用这种技术尤其受益，因为大多数用于晶圆焊凸的印刷机都很容易转向焊球粘植加工，并可转换回来。

　　DEK的焊膏印刷和焊球粘植技术可实现这种功能互换。DEK印刷机两种转印头设计都基于相同的技术，即ProFlowDirEKt压印，因此均采用相同的印刷机接口。一台合适的高精度批量压印机能在10分钟内从一种生产工艺转变为另一种。但在进行焊球粘植前当然需要插入助焊剂涂敷工序，如蓝鲸计划所述。

　　随着越来越多晶圆焊凸专业厂家将焊膏印刷工艺用于WLP封装，批量压印技术开始在半导体封装领域中广泛普及。然而，大型EMS企业也走进了WLP领域。封装和板卡之间的边界，以及封装与组装工艺之间的边界日渐模糊，迫使企业必须具备晶圆级和芯片级工艺技术来为客户服务。